Hexafluorid sírový je plyn s vynikajícími izolačními vlastnostmi a často se používá při zhášení vysokonapěťového oblouku a transformátorech, vysokonapěťových přenosových vedeních, transformátorech atd. Kromě těchto funkcí lze však fluorid sírový použít i jako elektronické leptadlo .Vysoce čistý fluorid sírový v elektronické kvalitě je ideálním elektronickým leptadlem, které je široce používáno v oblasti mikroelektronických technologií.Editor speciálních plynů Niu Ruide Yueyue dnes představí aplikaci fluoridu sírového při leptání nitridem křemíku a vliv různých parametrů.
Diskutujeme proces plazmového leptání SF6 SiNx, včetně změny výkonu plazmy, poměru plynů SF6/He a přidání kationtového plynu O2, diskutujeme jeho vliv na rychlost leptání ochranné vrstvy SiNx prvku TFT a použití plazmového záření. spektrometr analyzuje změny koncentrace každého druhu v plazmě SF6/He, SF6/He/O2 a rychlost disociace SF6 a zkoumá vztah mezi změnou rychlosti leptání SiNx a koncentrací druhů v plazmě.
Studie zjistily, že když se zvýší výkon plazmy, zvýší se rychlost leptání;pokud se průtok SF6 v plazmě zvýší, koncentrace F atomu se zvýší a pozitivně koreluje s rychlostí leptání.Kromě toho, po přidání kationtového plynu O2 pod pevným celkovým průtokem to bude mít vliv na zvýšení rychlosti leptání, ale při různých poměrech průtoku O2/SF6 budou existovat různé reakční mechanismy, které lze rozdělit do tří částí : (1) Průtokový poměr O2/SF6 je velmi malý, O2 může napomáhat disociaci SF6 a rychlost leptání je v tomto okamžiku vyšší, než když není přidán O2.(2) Když je poměr průtoku O2/SF6 větší než 0,2 k intervalu blížícímu se 1, je v tomto okamžiku v důsledku velkého množství disociace SF6 za vzniku F atomů rychlost leptání nejvyšší;ale současně se také zvyšuje počet atomů O v plazmatu a je snadné vytvořit SiOx nebo SiNxO(yx) s povrchem filmu SiNx, a čím více atomů O přibývá, tím obtížnější budou atomy F pro leptací reakce.Proto se rychlost leptání začíná zpomalovat, když se poměr O2/SF6 blíží 1. (3) Když je poměr O2/SF6 větší než 1, rychlost leptání se snižuje.Díky velkému nárůstu O2 dochází ke srážce disociovaných atomů F s O2 a vzniká OF, což snižuje koncentraci atomů F, což má za následek snížení rychlosti leptání.Z toho je patrné, že když se přidá O2, je průtokový poměr O2/SF6 mezi 0,2 a 0,8 a lze dosáhnout nejlepší rychlosti leptání.
Čas odeslání: prosinec-06-2021
